簡要(yao)描(miao)述(shu)：以(yi)銅(tong) (Cu) 濺射(she)靶材為(wei)例.在制備銅(tong)濺射(she)靶時,不可(ke)避免地會引入硫(liu)、鉛等(deng)其他雜質(zhi)含量.微(wei)量的硫(liu)可(ke)以(yi)防止熱(re)加工時晶粒(li)尺寸增大或(huo)產生微(wei)裂紋;但當硫(liu)元(yuan)素含量高于18 ppm時,會出現(xian)微(wei)裂紋;隨著兩種雜質(zhi)元(yuan)素(硫(liu)和鉛)，銅(tong)靶材鍍膜濺射(she)儀KT-Z1650PVD為(wei)臺式磁(ci)控(kong)濺射(she)鍍膜機，儀器結構緊湊，全自動控(kong)制，設計符(fu)合(he)人體工程學(xue)，所得結果一致(zhi)，可(ke)重復性(xing)高。
產品型(xing)號：KT-Z1650PVD廠商性(xing)質：生產廠家更新時(shi)間：2023-12-26訪(fang) 問 量：839| 品牌 | 鄭科探 | 濺射氣體 | 根據需求氣體 |
|---|---|---|---|
| 樣品臺尺寸 | φ50mm | 控制方式 | 觸摸屏智能控制 |
| 樣品倉尺寸 | φ160x160mm | 靶材尺寸 | 50mm |
| 靶材材質 | 金 鉑 銅 銀 | 價格區間 | 1-5萬 |
| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 化工,電子 |
銅靶材(cai)Cu target 鄭科探小型(xing)磁(ci)控濺射(she)靶材鍍膜銅(tong)膜料顆(ke)粒銅(tong)
以銅 (Cu) 濺射靶材(cai)為例.在制(zhi)備銅濺射靶時,不(bu)可避(bi)免(mian)地會引(yin)入硫、鉛等(deng)其他雜質含量(liang).微量的硫可以防止熱加工時晶粒尺寸增(zeng)大(da)或產生微裂紋;但當硫(liu)元(yuan)素含量高于18 ppm時,會出現微裂紋;隨著兩種(zhong)雜(za)質元素(硫和鉛)含量的(de)增(zeng)加,靶材裂紋的(de)數量和電弧放電的(de)數量會增(zeng)加(jia).因此,應盡可能降低靶材中的雜質含(han)量,以提高薄膜的均勻性。
高純度銅靶材
銅靶材鍍膜濺射儀
應用領域(yu)：
離子濺射儀在掃描電(dian)(dian)鏡中應用(yong)十(shi)分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀(ba)及混合(he)靶材(cai)等金屬消除不(bu)導電(dian)(dian)樣品的(de)荷電(dian)(dian)現象，并提高(gao)觀測效率，另外可以使用(yong)噴碳附(fu)件(jian)對(dui)樣品進行蒸碳，實現不(bu)導電(dian)(dian)樣品的(de)能譜儀元素定性和半定量分析。
銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數；
控制方式 | 7寸(cun)人機界面 手動(dong) 自動(dong)模(mo)式切換控制 |
濺射(she)電源 | 直流濺射電源 |
鍍膜功能 | 0-999秒5段可(ke)變(bian)換功(gong)率及擋板位和(he)樣(yang)品速度程序 |
功率 | ≤1000W |
輸出電壓電流 | 電壓≤1000V 電流≤1A |
真空 | 機械泵 ≤5Pa（5分(fen)鐘） 分(fen)子(zi)泵≤5*10^-3Pa |
濺射真空 | ≤30Pa |
擋板類型 | 電控 |
真空腔(qiang)室(shi) | 石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
樣(yang)品(pin)臺 | 可(ke)旋轉φ62 （可(ke)安裝φ50基(ji)底(di)） |
樣(yang)品臺轉速 | 8轉/分鐘 |
樣(yang)品濺射源調節距離(li) | 40-105mm |
真空測量 | 皮拉(la)尼真空(kong)計（已安裝 測量范圍10E5Pa 1E-1Pa） |
預留真空接口 | KF25抽(chou)氣(qi)(qi)口(kou) KF16放氣(qi)(qi)口(kou) 6mm卡(ka)套(tao)進氣(qi)(qi)口(kou) |
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