PECVD簡介

   上(shang)海實驗室真空PECVD射頻(pin)模(mo)塊(kuai)薄膜均勻沉積PECVD是借助于(yu)輝(hui)(hui)光放電等(deng)方法(fa)產生(sheng)等(deng)離子(zi)(zi)體，輝(hui)(hui)光放電等(deng)離子(zi)(zi)體中：電子(zi)(zi)密度(du)高(gao)(gao)109-1012cm3電子(zi)(zi)氣(qi)體溫度(du)比(bi)普(pu)通氣(qi)體分子(zi)(zi)溫度(du)高(gao)(gao)出10-100倍(bei)，使含有薄膜(mo)組成的(de)氣(qi)態物質發生(sheng)化學反(fan)應，從而實(shi)現(xian)薄膜(mo)材料生(sheng)長的(de)一種新的(de)制(zhi)備(bei)技術。

  上海實驗室真(zhen)空PECVD射(she)頻(pin)模塊(kuai)薄膜均勻沉積通過反(fan)應氣(qi)態放電(dian)，有效地(di)利用了非平衡等離子(zi)(zi)體(ti)(ti)的(de)反(fan)應特征，從根(gen)本上改變了反(fan)應體(ti)(ti)系的(de)能量供給方式低(di)溫熱等離子(zi)(zi)體(ti)(ti)化(hua)學氣(qi)相沉積(ji)法(fa)具有氣(qi)相法(fa)的(de)所有優點，工藝流程(cheng)簡單，與傳統CVD系統比(bi)較，生長溫度(du)更低，管輝光均(jun)勻(yun)等效，薄膜均(jun)勻(yun)沉積。

上(shang)海實驗(yan)室PECVD射頻模塊薄膜均勻(yun)沉積

KT-PE150S  性能參數