KT-PE500ZPECVD射頻模塊是(shi)借(jie)助(zhu)于輝(hui)光(guang)(guang)放(fang)電等(deng)(deng)(deng)方(fang)法(fa)產生等(deng)(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體，輝(hui)光(guang)(guang)放(fang)電等(deng)(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體中(zhong)：電子(zi)(zi)密度(du)高109-1012cm3電子(zi)(zi)氣體溫(wen)度(du)比普通(tong)氣體分子(zi)(zi)溫(wen)度(du)高出(chu)10-100倍，使含有(you)薄(bo)膜組成的(de)氣態物質發(fa)生化(hua)學(xue)反應(ying)，從而(er)實現薄(bo)膜材料生長的(de)一種新的(de)制備技術。通(tong)過反應(ying)氣態放(fang)電，有(you)效地利用了(le)非平衡等(deng)(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體的(de)反應(ying)特征，從根(gen)本上改變了(le)反應(ying)體系(xi)的(de)能量供(gong)給方(fang)式低溫(wen)熱等(deng)(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體化(hua)學(xue)氣相(xiang)沉積(ji)法(fa)具有(you)氣相(xiang)法(fa)的(de)所有(you)優(you)點(dian)，工藝流程簡單，與傳統(tong)CVD系(xi)統(tong)比較，生長溫(wen)度(du)更(geng)低，管輝(hui)光(guang)(guang)均勻(yun)等(deng)(deng)(deng)效，薄(bo)膜均勻(yun)沉積(ji)。

PECVD射頻模塊產品參數：